SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ Përshkrimi i produktit
| Atributi i produktit | Vlera e atributit |
| Prodhuesi: | Vishay |
| Kategoria e produkteve: | MOSFET |
| Teknologjia: | Si |
| Stili i montimit: | SMD/SMT |
| Paketa / Rasti: | SOT-23-3 |
| Polariteti i tranzistorit: | P-Channel |
| Numri i kanaleve: | 1 Kanal |
| Vds - Tensioni i prishjes së burimit të shkarkimit: | 8 V |
| ID - Rryma e shkarkimit të vazhdueshëm: | 5.8 A |
| Rds On - Rezistenca e burimit të shkarkimit: | 35 mOhm |
| Vgs - Tensioni i burimit të portës: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensioni i pragut të burimit të portës: | 1 V |
| Qg - Tarifa e portës: | 12 nC |
| Temperatura minimale e funksionimit: | - 55 C |
| Temperatura maksimale e funksionimit: | + 150 C |
| Pd - Shpërndarja e energjisë: | 1,7 W |
| Modaliteti i kanalit: | Përmirësimi |
| Emer tregtie: | TrenchFET |
| Paketimi: | mbështjell |
| Paketimi: | Shirit i prerë |
| Paketimi: | MouseReel |
| Marka: | Vishay Semiconductors |
| Konfigurimi: | Beqare |
| Koha e vjeshtës: | 10 ns |
| Lartësia: | 1,45 mm |
| Gjatësia: | 2.9 mm |
| Tipi i produktit: | MOSFET |
| Koha e Ngritjes: | 20 ns |
| Seria: | SI2 |
| Sasia e paketës së fabrikës: | 3000 |
| Nënkategoria: | MOSFET |
| Lloji i transistorit: | 1-P-Channel |
| Koha tipike e vonesës së fikjes: | 40 ns |
| Koha tipike e vonesës së ndezjes: | 20 ns |
| Gjerësia: | 1.6 mm |
| Pjesa # Pseudonimet: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| Njësia e peshës: | 0,000282 oz |
• Pa halogjen Sipas përkufizimit IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 % Rg i testuar
• Në përputhje me Direktivën RoHS 2002/95/EC
• Ndërprerësi i ngarkimit për pajisjet portative
• Konvertuesi DC/DC
