SAMSUNG planifikon të trefishojë kapacitetin e saj të shkritores së çipave deri në vitin 2027

Jeong Ki-tae, nënkryetar i zhvillimit të teknologjisë për njësinë e biznesit të shkritores së kompanisë, tha se Samsung Electronics prodhoi me sukses një çip 3 nanometër të bazuar në teknologjinë GAA për herë të parë në botë këtë vit, me 45 për qind konsum më të ulët të energjisë. 23 për qind performancë më të lartë dhe 16 për qind më pak sipërfaqe në krahasim me një çip 5 nanometër.

Samsung Electronics gjithashtu planifikon të mos kursejë asnjë përpjekje për të zgjeruar kapacitetin e prodhimit të shkritores së saj të çipave, e cila synon të trefishojë kapacitetin e saj të prodhimit deri në vitin 2027. Për këtë qëllim, prodhuesi i çipave po ndjek një strategji "shell-first", e cila përfshin ndërtimin e një së pari pastroni dhomën dhe më pas operoni objektin në mënyrë fleksibël kur lind kërkesa e tregut.

Choi Si-young, president i njësisë së biznesit të shkritores së Samsung Electronics, tha: "Ne po operojmë pesë fabrika në Kore dhe Shtetet e Bashkuara dhe kemi siguruar vende për të ndërtuar më shumë se 10 fabrika."

IT House ka mësuar se Samsung Electronics planifikon të nisë procesin e tij të gjeneratës së dytë 3 nanometër në 2023, të fillojë prodhimin masiv të 2 nanometër në 2025 dhe të nisë një proces 1.4 nanometër në 2027, një udhërrëfyes teknologjik që Samsung zbuloi fillimisht në San Francisco më 3 tetor (koha lokale).