Transistorë IKW50N65EH5XKSA1 IGBT INDUSTRY 14
♠ Përshkrimi i produktit
| Atributi i produktit | Vlera e atributit |
| Prodhuesi: | Infineon |
| Kategoria e produkteve: | Transistorë IGBT |
| Teknologjia: | Si |
| Paketa / Rasti: | TO-247-3 |
| Stili i montimit: | Përmes vrimës |
| Konfigurimi: | Beqare |
| Maksimumi VCEO i kolektorit- emetuesit: | 650 V |
| Tensioni i ngopjes kolektor-emetues: | 1,65 V |
| Tensioni maksimal i emetuesit të portës: | 20 V |
| Rryma e vazhdueshme mbledhëse në 25 C: | 80 A |
| Pd - Shpërndarja e energjisë: | 275 W |
| Temperatura minimale e funksionimit: | - 40 C |
| Temperatura maksimale e funksionimit: | + 175 C |
| Seria: | Trenchstop IGBT5 |
| Paketimi: | Tub |
| Marka: | Infineon Technologies |
| Rryma e rrjedhjes së portës-emetuesit: | 100 nA |
| Lartësia: | 20.7 mm |
| Gjatësia: | 15,87 mm |
| Tipi i produktit: | Transistorë IGBT |
| Sasia e paketës së fabrikës: | 240 |
| Nënkategoria: | IGBT-të |
| Emer tregtie: | STOP LLOGJEVE |
| Gjerësia: | 5.31 mm |
| Pjesa # Pseudonimet: | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| Njësia e peshës: | 0,213383 oz |
Oferta e teknologjisë HighspeedH5
•Efiçenca më e mirë në klasë në ndërrimin e topologjive rezonante
•Zëvendësimi i lojërave shtesë të IGBT-ve të gjeneratës së mëparshme
•Tensioni i prishjes 650V
•LowgatechargeQG
•IGBTkopaketuar me diodë RAPID1 me vlerësim të plotë, të qëndrueshëm të butë kundërparalele
•Temperatura maksimale e bashkimit175°C
•Të kualifikuar sipas JEDECpër aplikacione të synuara
•Pllatim pa Pb;Përputhet me RoHS
•CompleteproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/
•Furnizime me energji të pandërprerë
•Konvertuesit diellorë
•Konvertuesit e saldimit
•Konvertuesit e frekuencës me ndërrimin e rangut të mesëm në të lartë
